日本大学生産工学部　研究報告A（理工系）第51巻第1号

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─ 35 ─研究成果⑴　小田倉卓也１，清水耕作１，森本敏夫２，中山徳行２，白木真菜２１　日本大学，２　住友金属鉱山株式会社，　非晶質In-Ga-Zn-O TFTのアニール条件が及ぼすTFT特性，信頼性への影響，第64回　応用物理学会春季学術講演会 18a-E201-8⑵　酒井作周，清水耕作ｐ型，ｎ型酸化物半導体の作製と太陽電池への応用,　第78回　応用物理学会秋季学術講演会8a-C24-9⑶　Sakuchika Sakai, and Kousaku ShimizuFabrication and characterization of amorphous CuAlO2/InGaZnO4 heterojunction solar cells by pulse DC sputtering method2017 European MRS Spring Meeting O 9.4平成29年度利用状況　酸化物半導体，有機物半導体，シリコン系半導体を用いた次世代ヘテロジャンクションデバイスの開発研究を行っている。太陽電池性能を決定するpn, pinおよびMIS界面についてのバンドオフセットを検討するためにPYS/IPES装置を用いている。　2014年度までに，In-Ga-Zn-O（IGZO），In-Sn-Zn-O（ITZO）及びCu-Al-O（CAO）に関する電気物性および電子光物性評価を行ってきており，フェルミレベルの位置や基礎吸収端部分を評価できるようにした。2015年度より，酸素化および水素化によるバンドエッジの形状の変化及びシフトを検討している。昨年度は，薄膜単体のバンド構造を検討した。本年度は，CAO/IGZO及びCAO/ITZOのバンドオフセットについて，水素化や酸素化を行うことにより表面の状態を変調して吸収端の変化についての検討を行った。バンド基礎吸収端には，組成比および構造の変化によるバンド自体の乱れを反映することがさまざまなシミュレーションの結果わかっている。このような事実を評価レベルで比較・参照しながら検討を行った。本年度の成果として，①バンドギャップを0.1eVの制度でほぼ光学的な方法と相関が得られるように評価する方法を確立した。②水素化および酸素化により，価電子帯，伝導帯に対する影響を個別に評価できるようにした。来年度は，空乏層幅，容量についての検討を進める予定であり，すでに準備は進行している。No.６設備・装置名　称半導体電子物性解析装置型　式光電子収量分光装置　PYS-200+型真空型ケルビンプローブ　UHVKP020IPES装置分析チャンバー使用責任者電気電子工学科　　清水耕作購入年度平成24年度共同使用者応用分子化学科　　山田康治応用分子化学科　　山根庸平電気電子工学科　　新妻清純電気電子工学科　　工藤祐輔