日本大学生産工学部　研究報告A（理工系）第52巻第1号

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─ 54 ─研究成果⑴　Yuuta Someya, and Kousaku Shimizu　　In situ cleaning of silicon substrate by atomic hydrogen and argon and its application for solar cells, 10th International Conference on Hot Wire （Cat） and Initiated Chemical Vapor Deposition （2018） 48.⑵　Toshiki Yanagisawa, Yuuta Someya, and Kousaku Shimizu　　Hot-wire hydrogenation for In-Sn-Zn-O and improvement of the TFT reliability, 10th International Conference on Hot Wire （Cat） and Initiated Chemical Vapor Deposition （2018）59. 平成30年度利用状況　H30年度前半は，装置に多大なノイズが入ること，装置の到達真空に対する不具合で原因を突き止めることができず使用することができなかった。このため使用時間は，約500時間にとどまった。しかし接地の取り方を改善することでほぼ解決できた。30年度後半は主としてIn-Sn-Zn-O及びPEDOT: PSSの基礎吸収端，及びフェルミレベルに関する検討を行った。特に本年度は，ホットワイヤ法による界面改質及びクリーニング効果，また有機物であるPEDOT: PSSのシリコンとのヘテロpn接合について検討を行った。⑴太陽電池の製作において，界面清浄化は極めて重要な課題であり，この問題について原子状水素を用いて表面クリーニング効果を検討した。原子状水素は，高い活性度を持つため，過度な照射を行うとエッチング優勢となる。このため空間プラズマ密度を最適化する必要がある。本年度は，条件の詳細を検討することでヘテロジャンクション特性を大幅に改善することができる。⑵In-Sn-Zn-Oの信頼性に対する課題は重要な課題となっている。当研究室では，ホットワイヤ法による水素終端効果と表面改質の関係をPYS/IPES/KP法を用いて詳細に検討した。伝導体下1.5eV 付近にある欠陥の増減が信頼性に大きく影響しているが，バックチャネル界面も大きく影響を及ぼしていることを明らかにした。またこの表面改質の効果を世界で初めて，IPESを用いて明らかにした。この結果の一部は，HWCVD10, TFMD にて報告し，大きな反響を得た。これらの結果は今後ICDS30にて報告する予定である。No.５設備・装置名　称半導体電子物性解析装置型　式光電子収量分光装置　PYS-200+型真空型ケルビンプローブ　UHVKP020IPES装置分析チャンバー使用責任者電気電子工学科　　清水耕作購入年度平成24年度共同使用者応用分子化学科　　山根庸平電気電子工学科　　工藤祐輔電気電子工学科　　新妻清純